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IS42S16400N-6TLI
高速CMOS同步动态随机存储器，支持自动列地址生成、内部存储体交错和随机列地址更改
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- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42S16400N-6TLI
- 商品编号
- C25092598
- 商品封装
- TSOP-54
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.253846克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成 |
商品概述
64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V内存系统，包含67108864位。它内部配置为具有同步接口的四组DRAM。每个16777216位的存储组被组织为4096行×256列×16位。 64Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。 64Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发传输数据，并自动生成列地址，能够在内部存储组之间进行交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。 启用自动预充电功能后，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个存储组之一时对一个存储组进行预充电，将隐藏预充电周期，并提供无缝、高速、随机访问操作。 SDRAM的读写访问以突发方式进行，从选定位置开始，并按照编程序列连续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与已寄存的地址位一起用于选择要访问的存储组和行（BA0、BA1选择存储组；A0 - A11选择行）。读或写命令与已寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。 可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置，或整页，并具有突发终止选项。
商品特性
- 时钟频率：200、166、143 MHz
- 完全同步；所有信号参考正时钟沿
- 内部存储组用于隐藏行访问/预充电
- 单3.3V电源，LVTTL接口
- 可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
- 可编程突发序列：顺序/交错
- 自刷新模式
- 自动刷新（CBR），每个刷新周期4096次刷新
- 每个时钟周期随机列地址
- 可编程CAS延迟（2、3个时钟）
- 突发读/写和突发读/单写操作能力
- 通过突发停止和预充电命令终止突发