- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS46TR16256BL-107MBLA3
512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM
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- 描述
- 特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V。 高速数据传输速率，系统频率高达1066MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构。 可编程CAS延迟
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS46TR16256BL-107MBLA3
- 商品编号
- C25092608
- 商品封装
- BGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 107mA | |
| 刷新电流 | 30mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 低电压 (L) 版本：VDD 和 VDDQ = 1.35V +0.1V, -0.067V，向后兼容 1.5V
- 系统频率高达 1066 MHz 的高速数据传输速率
- 8个内部存储体支持并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程 CAS 延迟
- 可编程附加延迟：0、CL-1、CL-2
- 基于 tCK 的可编程 CAS 写入延迟 (CWL)
- 可编程突发长度：4 和 8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 突发长度动态切换
- 自动自刷新 (ASR)
- 自刷新温度 (SRT)
- 刷新间隔：7.8μs (8192个周期/64 ms)，Tc = -40°C ~ 85°C；3.9μs (8192个周期/32 ms)，Tc = 85°C ~ 105°C；1.95μs (8192个周期/16 ms)，Tc = 105°C ~ 115°C；0.97μs (8192个周期/8 ms)，Tc = 115°C ~ 125°C
- 配置：512Mx8，256Mx16
- 绿色封装：x16 采用 96-ball BGA (9mm × 13mm)；x8 采用 78-ball BGA (8mm × 10.5mm)
- 部分阵列自刷新
- 异步 RESET 引脚
- 支持 TDQS (终端数据选通，仅限 x8 配置)
- OCD (片外驱动器阻抗调整)
- 动态 ODT (片上终端)
- 驱动强度：RZQ/7，RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
- 写入均衡
- 在 DLL 关闭模式下支持高达 200MHz
- 工作温度范围：商用 (TC = 0°C ~ +95°C)；工业级 (TC = -40°C ~ +95°C)；汽车级 A1 (TC = -40°C ~ +95°C)；汽车级 A2 (TC = -40°C ~ +105°C)；汽车级 A25 (TC = -40°C ~ +115°C)；汽车级 A3 (TC = -40°C ~ +125°C)