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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±15V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 扩展正向偏置安全工作区(FBSOA)
- 快速本征二极管
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器
- 电池充电器应用