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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 695W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 607pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.36nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 常开模式
- 国际标准封装
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-音频放大器-启动电路-保护电路-斜坡发生器-电流调节器-有源负载