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J113
N沟道开关
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- 描述
- 特性：专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器设计。 源极和漏极可互换。 这些是无铅器件
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- J113
- 商品编号
- C274643
- 商品封装
- TO-92-3L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV；3V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 35V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |