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ISC078N12NM6ATMA1
N沟道 120V 85A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻Rps(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值，175℃工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准为MSL 1级分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC078N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C22455788
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- N沟道,常通电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 根据J - STD - 020标准,湿度敏感度等级为1级
应用领域
- 台式电脑电源管理或DC/DC转换器
- 电源负载开关
- 笔记本电池管理