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NUP2301MW6T1G
低电容二极管阵列用于两条数据线的ESD保护
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- 描述
- NUP2301MW6T1G是一款微型集成器件，旨在保护敏感元件免受可能有害的电瞬变影响，例如静电放电（ESD）。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NUP2301MW6T1G
- 商品编号
- C242265
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 击穿电压 | 70V | |
| 反向电流(Ir) | 2.5uA | |
| 通道数 | 双路 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 2pF |
商品概述
NUP2301MW6T1G是一款微型集成器件，旨在保护敏感元件免受可能有害的电瞬变影响，例如静电放电（ESD）。
商品特性
- 低电容（I/O线间最大电容2.0 pF）
- 单封装集成设计
- 符合JEDEC标准，提供静电放电保护：机器模型 = C级；人体模型 = 3B级；满足IEC61000 - 4 - 2（4级）标准，接触放电8.0 kV、空气放电15 kV
- 确保数据线速度和完整性，减少元件数量和电路板空间
- 将瞬变引导至正端或接地
- 汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC - Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这是一款无铅器件
应用领域
- T1/E1二次集成电路保护
- T3/E3二次集成电路保护
- 高速数字用户线（HDSL）、综合数字用户线（IDSL）二次集成电路保护
- 视频线路保护
- 微控制器输入保护
- 基站
- I²C总线保护