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JSM80N03D
N沟道 30V 80A
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- 描述
- N沟道,30V,100A,2mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM80N03D
- 商品编号
- C22447118
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4652克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V；4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 80 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 5.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- 适用于软开关升压PFC开关、半桥（HB）、有源半桥（AHB）或LLC半桥及全桥拓扑。
- 例如移相桥（ZVS）、LLC应用的服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。
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