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JSM80N06D
N沟道+P沟道 60V 80A
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- 描述
- 高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM80N06D
- 商品编号
- C22447119
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
DFN2×2B-6L塑封封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- VDS（V） = 20V
- ID = 8A（VGS = ±12V）
- 无卤产品。
应用领域
- 适用于低压应用，如汽车电路、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
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