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JSM100N06D
N沟道 60V 100A
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- 描述
- N沟道,60V,97A,6.3mΩ@10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM100N06D
- 商品编号
- C22447120
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4632克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 331.4pF |
商品概述
JSM100N06D采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 100A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 6.0mΩ(典型值:4.5mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 全面表征雪崩电压和电流
- 良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,具备良好的散热性能
应用领域
- 电源开关应用
- 电源管理
- 不间断电源