温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CM1135-EEC
1节，内置NMOS
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CM1135-EEC 内置有高精度电压检测电路和延迟电路，通过检测电池的电压、电流，实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CM1135-EEC
- 商品编号
- C22446380
- 商品封装
- DFN-4L(1x1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011749克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | 保护芯片 | |
| 最大充电电流 | 1A | |
| 充电饱和电压 | 4.475V | |
| 放电截止电压 | 2.85V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电池类型 | 锂电池 | |
| 电池节数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 0V电池充电 | 支持 |
商品概述
CM1135-EEC 内置有高精度电压检测电路和延迟电路，通过检测电池的电压、电流，实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。
商品特性
- 高精度电压检测功能：
- 过充电保护电压 4.475 V 精度 ±20 mV
- 过充电解除电压 4.275 V 精度 ±45 mV
- 过放电保护电压 2.850 V 精度 ±50 mV
- 过放电解除电压 3.050 V 精度 ±100 mV
- 放电过流检测 0.400 A 精度 ±150 mA
- 短路电流检测 0.800 A 精度 ±250 mA
- 充电过流检测 1.000 A 精度 ±300 mA
- 内部检测延迟时间：
- 过充电保护延时 1.0 s 精度 ±30%
- 过放电保护延时 64 ms 精度 ±30%
- 放电过流保护延时 10 ms 精度 ±30%
- 充电过流保护延时 10 ms 精度 ±30%
- 充电器检测及负载检测功能
- 向 0V 电池充电功能：允许
- 休眠功能：有
- 放电过流状态的解除条件：断开负载
- 放电过流状态的解除电压 VRIOV
- 低电流消耗：
- 工作时 0.6 μA (典型值) (Ta = +25°C)
- 休眠时 50 nA (最大值) (Ta = +25°C)
- 内部功率 N-MOSFET 导通阻抗 65 mΩ
- RoHS、无铅、无卤素
应用领域
- 智能穿戴设备
- TWS