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PE42412A-X
SP12T RF开关，10MHz - 8GHz
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- 描述
- 是一种采用HaRP技术增强的吸收式SP12T RF开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，适用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能，这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE42412A-X
- 商品编号
- C22444761
- 商品封装
- QFN-32(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀十二掷 | |
| 频率 | 10MHz~8GHz | |
| 隔离度 | 19dB | |
| 插入损耗 | 3.1dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作电压 | 2.3V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 热切换能力；集成控制逻辑 |
商品概述
PE42412是一款采用HaRP技术增强的吸收式SP12T RF开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。该器件提供高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，使其非常适合在高达8 GHz的无线基础设施和无线应用中进行滤波组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压，则无需使用隔直电容。PE42412基于Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅技术。Peregrine的HaRP技术增强功能提供了高线性度和优异的谐波性能，是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能与传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 高隔离度：39 dB @ 6 GHz
- 低插入损耗：1.3 dB @ 6 GHz
- 快速切换时间：232 ns
- 功率处理能力：33 dBm CW
- 逻辑选择引脚提供最大的控制逻辑灵活性
- 所有端口均端接的关断状态模式
- 封装 – 32引脚5×5×0.85 mm QFN
应用领域
- 无线基础设施
- 高达8 GHz的无线应用
- 滤波组切换
- RF信号路由