- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R6003JND4TL1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 快速反向恢复时间（trr）
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可以简单
- 无铅电镀；符合RoHS标准
应用领域
- 开关