- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP68D1LVQ-7
双P沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、ESD保护，适用于汽车应用
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP68D1LVQ-7
- 商品编号
- C22442974
- 商品封装
- SOT-563-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能