商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V | |
| 工作电流 | 400uA | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 30uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 功能特性 | - |
商品概述
FM24W256 是一款采用先进铁电工艺的 256-Kbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器具有非易失性,其读写操作类似于 RAM。它在提供 151 年可靠数据保留的同时,消除了由 EEPROM 和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与 EEPROM 不同,FM24W256 的写入操作在总线速度下完成,没有写入延迟。数据在每个字节成功传输至器件后立即写入存储阵列,无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外,该产品相比其他非易失性存储器具有更高的写入耐久性。同时,由于写入操作不需要内部升压电源电压为写入电路供电,铁电存储器在写入时功耗远低于 EEPROM。FM24W256 能够支持 10^14 次读写周期,其写入周期数是 EEPROM 的一亿倍。这些能力使得 FM24W256 非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用,范围从写入次数可能至关重要的数据记录,到因 EEPROM 长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。这些特性的结合允许系统以更少的开销进行更频繁的数据写入。FM24W256 作为硬件直接替换方案,为串行 I²C EEPROM 的用户带来了显著优势。器件规格保证在 -40°C 至 +85°C 的工业温度范围内有效。
商品特性
- 256-Kbit 铁电随机存取存储器,逻辑组织为 32K×8
- 高耐久性:100 万亿次读写
- 151 年数据保留
- 无延迟写入
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 快速 2 线串行接口
- 高达 1-MHz 频率
- 可直接硬件替换串行 EEPROM
- 支持 100 kHz 和 400 kHz 的传统时序
- 低功耗消耗:100 kHz 下工作电流为 100 μA,典型待机电流为 15 μA
- 宽电压工作范围:VDD = 2.7 V 至 5.5 V
- 工业温度范围:-40°C 至 +85°C
- 8 引脚小外形集成电路封装
- 符合有害物质限制规定
- FM25V02A-DGQ
- FM25V20A-DG
- GCM188D71H105KE36D
- GST360B15-C8P
- HAL3900DJ-A
- HBW331M1V1013-TR0
- HCPL-4100-300E
- HCPL-4200-300E
- HEDM-5500#B13
- HEDS-5540#A06
- HEDS-9040#J00
- HEDS-9040#T00
- HN4A06J(TE85L,F)
- HT8KE6TB1
- IAUCN04S7N030ATMA1
- IDWD120E120D7XKSA1
- IDWD140E120D7XKSA1
- IDWD30E120D7XKSA1
- IDWD40E120D7XKSA1
- IDWD50E120D7XKSA1
- IDWD60E120D7XKSA1


