- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
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| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
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| 功能特性 | - |
商品概述
FM24W256 是一款采用先进铁电工艺的 256-Kbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器具有非易失性，其读写操作类似于 RAM。它在提供 151 年可靠数据保留的同时，消除了由 EEPROM 和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与 EEPROM 不同，FM24W256 的写入操作在总线速度下完成，没有写入延迟。数据在每个字节成功传输至器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，该产品相比其他非易失性存储器具有更高的写入耐久性。同时，由于写入操作不需要内部升压电源电压为写入电路供电，铁电存储器在写入时功耗远低于 EEPROM。FM24W256 能够支持 10^14 次读写周期，其写入周期数是 EEPROM 的一亿倍。这些能力使得 FM24W256 非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，范围从写入次数可能至关重要的数据记录，到因 EEPROM 长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。这些特性的结合允许系统以更少的开销进行更频繁的数据写入。FM24W256 作为硬件直接替换方案，为串行 I²C EEPROM 的用户带来了显著优势。器件规格保证在 -40°C 至 +85°C 的工业温度范围内有效。
商品特性
- 256-Kbit 铁电随机存取存储器，逻辑组织为 32K×8
- 高耐久性：100 万亿次读写
- 151 年数据保留
- 无延迟写入
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 快速 2 线串行接口
- 高达 1-MHz 频率
- 可直接硬件替换串行 EEPROM
- 支持 100 kHz 和 400 kHz 的传统时序
- 低功耗消耗：100 kHz 下工作电流为 100 μA，典型待机电流为 15 μA
- 宽电压工作范围：VDD = 2.7 V 至 5.5 V
- 工业温度范围：-40°C 至 +85°C
- 8 引脚小外形集成电路封装
- 符合有害物质限制规定