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FM25V20A-DG
FM25V20A-DG
- 描述
- 2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FM25V20A-DG
- 商品编号
- C22443253
- 商品封装
- DFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2V~3.6V | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 250uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 8uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 |
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