FM25V02A-DGQ

FM25V02A是一款采用先进铁电工艺的256K位非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能可靠地保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列。下一个总线周期可以立即开始，无需进行数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。FM25V02A能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1亿倍。

这些特性使FM25V02A非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用范围从写循环次数可能至关重要的数据记录，到串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。

FM25V02A作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。FM25V02A使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品版本。设备规格在-40°C至+105°C的扩展温度范围内得到保证。

• 256K位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑上组织为32K×8
• 高耐久性，100万亿（10¹⁴）次读写
• 121年的数据保留（参见数据保留和耐久性表）
• NoDelay™写入
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 非常快速的串行外设接口（SPI）
• 高达33MHz的频率
• 可直接硬件替换串行闪存和EEPROM
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁用指令进行软件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 设备ID
• 制造商ID和产品ID
• 低功耗
• 33MHz时5mA的工作电流
• 500μA的待机电流
• 12μA的睡眠模式电流
• 低电压操作：VDD = 2.7V至3.6V
• 扩展温度范围：-40°C至+105°C
• 8引脚双扁平无引脚（DFN）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准