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20N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 具有高耐压、大电流、低导通电阻特点，广泛应用于电源管理、电机驱动及汽车电子领域。
- 品牌名称
- JUXING(钜兴)
- 商品型号
- 20N03
- 商品编号
- C22440680
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AOT7N70和AOTF7N70采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 25 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
应用领域
- 电源开关应用
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