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15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:14.7A
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- 描述
- 具有高耐压、大电流、低导通电阻特点，适用于电源管理、逆变器及电动车充电器领域。
- 品牌名称
- JUXING(钜兴)
- 商品型号
- 15N10
- 商品编号
- C22440681
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AO3401A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 AO3401A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 提供绿色环保器件 超低栅极电荷 出色的CdV/dt效应抑制能力 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
~~- 超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
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