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HVESD12A1C-HD1-GS08
单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 该ESD静电保护二极管为单通道单向设计，额定电压VRWM为12V，能有效应对高达4A的瞬时静电冲击（IPP），保障电路安全。其低电容值28pF（CJ）确保高速信号无损通过，特别适合于保护敏感电子设备免受静电损害，同时维持信号传输质量。
- 商品型号
- HVESD12A1C-HD1-GS08
- 商品编号
- C22439823
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 13.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 28pF |
商品概述
HVESD12A1C - HD1 - GS08可保护敏感的半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装类型为DFN1006 - 2L。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护：符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，接触放电±8kV，空气放电±15kV；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准，40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：150W（8/20μs）
- 工作电压：12V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：45pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流