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WSD3072DN33
N沟道 30V 72A
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- 描述
- N沟道 30V 72A，可应用于电子烟、无线充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD3072DN33
- 商品编号
- C22439629
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
WSD4021DN56采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSD4021DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力，且通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源