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WSD18N10DN33
N沟道 100V 16A
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- 描述
- N沟道 100V 16A，可应用于汽车电子、LED灯、音响、数码产品、小家电、消费类电子、保护板
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD18N10DN33
- 商品编号
- C22439630
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
WSD18N10DN33是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。 WSD18N10DN33符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试保证,具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络DC-DC电源系统-负载开关