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WSD30L65DN33
P沟道 -30V -50A
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- 描述
- P沟道 -30V -50A，可应用于电子烟、无线充、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L65DN33
- 商品编号
- C22439631
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。