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PMV41XPAR实物图
  • PMV41XPAR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV41XPAR

P沟道 28V 4A

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描述
P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMV41XPAR
商品编号
C22421911
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034831克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)28V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)21nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.254nF
反向传输电容(Crss)77pF
类型P沟道
输出电容(Coss)88pF

商品特性

-低阈值电压-沟槽MOSFET技术-极快速开关-通过AEC-Q101认证

应用领域

-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路

数据手册PDF