- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | - | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 35V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 23pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 50pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | 115dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 5.2mA | |
| 输出电流 | 1A | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 使能/关断功能 |
商品概述
PA164和PA165是采用单片放大器核心的高压MOSFET运算放大器，专为需要高输出电流或电压的高密度功率应用而设计。两款器件均设计用于高达200V的工作电压，其中PA164提供1A连续电流，PA165提供4A连续电流。放大器核心与输出级采用独立电源供电，优化了器件的整体功耗。两款器件均提供宽范围、温度补偿的电流限制功能。额外的过流标志允许灵活实现系统保护，而输出禁用功能则增加了另一层可选保护。外部补偿使用户能够根据应用需求灵活选择增益和带宽。
商品特性
- 采用单片MOS技术构建放大器核心
- 高压操作（200V输出）
- 带过流标志的电流限制功能
- 高输出电流：4A峰值或10A峰值
- 放大器禁用功能
应用领域
- 高密度电压或电流电源
- 静电换能器与偏转系统
- 可变形镜聚焦系统
- 压电定位系统