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RCQ36N25
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs,Id)：28mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RCQ36N25
- 商品编号
- C22399953
- 商品封装
- PDFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、42A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 9mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore负载点应用
- 开关电源二次侧同步整流
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