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SL40P03G
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 良好的稳定性和均匀性，高单脉冲雪崩能量EAS。应用：电池和负载开关。 良好散热的封装应用
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL40P03G
- 商品编号
- C22392328
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214257克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.988nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 266pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF |
商品概述
80R1K2 是一款采用 Cmos 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计人员带来低 EMI 的优势，还具有低开关损耗的特点。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量耐量,稳定性和一致性良好
应用领域
- 电池和负载开关
- 散热性能出色的封装