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SL5350MDR
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- 描述
- SL5350S / M 是一款具有 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 隔离的 8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的单通道隔离栅极驱动器。它能够有效和安全地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟和紧凑的 SOIC-8 封装使 MOSFET 能够以数百 kHz 的频率进行开关。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL5350MDR
- 商品编号
- C22392351
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 14ns | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13.2V~33V |
商品概述
SL5350S / M 是一款具有 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 隔离的 8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流的单通道隔离栅极驱动器。它能够有效和安全地驱动 SiC/Si MOSFET 和 Si IGBT。低传播延迟和紧凑的 SOIC-8 封装使 MOSFET 能够以数百 kHz 的频率进行开关。 9.5V 至 33V 的宽输出 VCC2 工作范围可有效驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 电源开关。集成 UVLO 保护可确保在异常条件下保持低输出。输入 VCC1 在 2.5V 至 5.5V 范围内工作，并支持大多数数字控制器。 通过集成隔离栅 SL5350S / M 可以支持高达 3.75kVrms (D) 和 5kVrms (DW) 的隔离。通过隔离栅或电平转换来控制 MOSFET/IGBT 的栅极驱动非常方便。
商品特性
- 分离式输出 (SL5350S) 或者米勒钳位 (SL5350M) 可选
- 业界标准的 SOIC-8 引脚
- 支持 3.75kVrms 窄体 (D) 隔离电压和 5kVrms 宽体 (DW) 隔离电压可选
- 8.5A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流
- 高达 36V VCC2 宽范围供电
- VCC2 UVLO 保护
- 8.4V UVLO (SL5350S)
- 12V UVLO (SL5350M)
- CMTI 高于 100V/ns
- CMOS 输入
- 典型 50ns 传播时延
- 输入浮空时输出保持低电平
- -40℃ 到 125℃ 的工作温度范围
应用领域
- AC/DC 及 DC/DC 变换器
- 服务器和通讯设备的整流器
- EV/HEV 逆变器及 DC/DC 转换器
- PV 升压及逆变器
- UPS
- 电机控制
- 新兴的宽带隙功率器件