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2N7002KM
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD保护2KV HBM
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- 2N7002KM
- 商品编号
- C22392349
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用。