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OSM002

N沟道耐压:15V 电流:20A

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描述: 2mΩ/15V/N+N/强散热/锂保专用MOSFET
品牌名称: orisilicon(矽源)
商品型号: OSM002
商品编号: C22392319
商品封装: PLDFN-4(2.5x3.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

商品概述

是一款应用于锂电池二次保护的双N沟道MOSFET ，采用Trench工艺实现。在栅源电压4.5V时可实现2.2mΩ的源-源导通阻抗，极大的解决了手机快充电池的充放电问题。源-源端的关断BV电压可实现最大±的典型耐压要求，增强了电池保护系统的可靠性。采用3.5mm x2.5mm的PLP封装，端口采用宽体PAD，提高了MOS的焊接，并增强了散热特性。

商品特性

沟槽功率MOSFET技术
低源-源道通电阻: Rss(on)type =2.2mΩ@V05 =4.5V
共漏极的±N+N器件
漏极散热盘，降低热阻
塑封成品，简化生产加工

应用领域

电子烟
蓝牙耳机
GPS/北斗便携设备
手机
平板电脑
电动工具
TYPE-C/QC快充
大容量锂电池的备用电源

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	2.9mΩ@4.5V
	阈值电压(Vgs(th))	950mV@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	30nC@4V
	反向传输电容(Crss)	430pF
	工作温度	-40℃~+125℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	480pF