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OSM002
N沟道 耐压:15V 电流:20A
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- 描述
- 2mΩ/15V/N+N/强散热/锂保专用MOSFET
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM002
- 商品编号
- C22392319
- 商品封装
- PLDFN-4(2.5x3.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
OSM002是一款应用于锂电池二次保护的双N沟道MOSFET,采用Trench工艺实现。 OSM002在栅源电压4.5V时可实现2.2mΩ的源 - 源导通阻抗,极大的解决了手机快充电池的充放电问题。 OSM002源 - 源端的关断BV电压可实现最大±18V的典型耐压要求,增强了电池保护系统的可靠性。 OSM002采用3.5mm×2.5mm的PLP封装,端口采用宽体PAD,提高了MOS的焊接,并增强了MOS散热特性。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低源 - 源道通电阻:RSS(on) \texttype = 2.2 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 共漏极的\mathbfN + \mathbfN器件
- 漏极散热盘,降低热阻
- 塑封成品,简化生产加工
应用领域
- 电子烟、蓝牙耳机、GPS/北斗便携设备
- 手机、平板电脑、电动工具
- TYPE - C/QC快充
- 大容量锂电池的备用电源