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WNM6002-3/TR-ES
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- WNM6002-3/TR-ES
- 商品编号
- C22379640
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.3pF |
商品概述
WNM6002-3/TR-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6002-3/TR-ES为无铅产品。
商品特性
- 60V，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 1.8 Ω（典型值）@VGS = 10V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）= 2.0 Ω（典型值）@栅源电压（VGS）= 4.5V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 人体模型静电放电保护：2KV
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换