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50P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 50P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过导通耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 50P02
- 商品编号
- C22379650
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻×面积（Ron*A）性能，提高导通效率
- 极低的品质因数（FOM），效率更高
- 超快速小二极管
- 漏源击穿电压（VDSS）=650V，漏极电流（ID）=6A
- 栅源电压（VG）=10V 时，导通电阻（RDS(on)）：0.78 Ω（典型值）
- TO-220F 封装
- 符合 RoHS 标准