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25P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- 25P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。25P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证电气自动测试（EAS）合格。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 25P04
- 商品编号
- C22379654
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF |
商品概述
80P02是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80P02符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)