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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 特性：VDS = 60V。I0 = 340mA。RDS(on)@VGS = 10V < 5Ω。RDS(on)@VGS = 4.5V < 5.3Ω。ESD protected。Rugged and reliable。应用：Battery operated systems。Solid-state relays
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C22379475
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V；1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻×面积（Ron*A）性能，提升导通效率
- 极低的品质因数（FOM），效率更高
- 超快小型二极管
- 漏源击穿电压（VDSS）=650V，漏极电流（ID）=13A
- 导通电阻（RDS(on)）：0.33 Ω（典型值）@栅源电压（VG）=10V
- TO-220F封装
- 符合RoHS标准