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OB2101HCPA

650V半桥栅极驱动IC

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描述: OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。
品牌名称: OB(昂宝)
商品型号: OB2101HCPA
商品编号: C22379554
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.18375克(g)

商品参数

商品概述

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可承受高达650V的电压。 OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行，并且两个输出通道具有内部死区时间，可避免交叉导通。输入逻辑电平与标准3.3V/5V兼容。输出驱动器的源电流和灌电流分别为260mA和530mA。

商品特性

浮动通道支持高达650V的自举操作
正输入逻辑，与3.3V/5V输入逻辑兼容
内置低端电源欠压锁定（UVLO）
内置高端电源欠压锁定（UVLO）
内置交叉导通预防逻辑
内置死区时间和匹配的传播延迟
采用SOP8封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	工作电压	10V~15V
	上升时间(tr)	95ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	45ns
	传播延迟 tpLH	310ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	65uA