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MSHM60P14
1个P沟道 耐压:60V 电流:14A
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- 描述
- 该器件采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻RDS(ON)降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSHM60P14
- 商品编号
- C22374930
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.447nF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)）降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) = 70 m Ω @ VGS = -10 V
- 快速开关
- 100% 保证单脉冲雪崩能量
- 有环保型器件可供选择
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-网络设备-LED 照明