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MSH40N032
1个N沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- 该器件采用沟槽式 DMOS 技术。这项先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON)降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSH40N032
- 商品编号
- C22374935
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.648nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
70R360是一款功率MOSFET，采用了东微半导体（Truesemi）先进的超级结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 3.2 mΩ
- 低栅极电荷
- 出色的 dv/dt 能力
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
-台式计算机电源管理-DC/DC 转换器-同步整流应用
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