温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSB100N023
1个N沟道 耐压:100V 电流:250A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该器件采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSB100N023
- 商品编号
- C22374936
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 192nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@50V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，旨在最大限度地降低漏源导通电阻（RDS(ON)），提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 2.5 mΩ
- 快速开关
- 提高 dv/dt 能力
- 100% 保证 EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
-网络-负载开关-同步整流器-电池管理系统应用
其他推荐