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MSD40P45
1个P沟道 耐压:40V 电流:45A
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- 描述
- 该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSD40P45
- 商品编号
- C22374934
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.757nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将漏源导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100%保证 EAS（能量雪崩安全），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 栅源电压为 -10 V 时，漏源导通电阻 = 15 mΩ
- 快速开关
- 适用于 -4.5V 栅极驱动应用
- 100%保证 EAS
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/核心电压
- 负载点（POL）应用
- 负载开关
- LED 应用
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