温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSQ30P40D
2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该器件是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS(ON)和栅极电荷。该器件符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- MSQ30P40D
- 商品编号
- C22374932
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF |
商品特性
- 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) = 30 mΩ
- 在 VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 40 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板 / 显卡 / 核心电压
- 负载点 (POL) 应用
- 负载开关
- LED 应用