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SIA431DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- P沟道,-20V,-12A,0.025Ω@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA431DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C239287
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 新型热增强型PowerPAK SC-70封装
- 小尺寸封装
- 低导通电阻
- 100% Rq测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关