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SI4435DY-ES
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.5A
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- 描述
- P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SI4435DY-ES
- 商品编号
- C22363746
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
DMG1012T-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMG1012T-ES为无铅产品。
商品特性
- 20V，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 150mΩ（典型值）
- VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 200mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换