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WNM2021-3/TR-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- WNM2021-3/TR-ES
- 商品编号
- C22363754
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V；230mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
WNM2021-3/TR-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021-3/TR-ES为无铅产品。
商品特性
- 20V，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 180 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 230 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 2.5 V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换
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