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DMG1012T-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG1012T-ES
- 商品编号
- C22363755
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 230mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 12A、600V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.65Ω
- 低栅极电荷（典型值52nC）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效率开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正