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FDN327N-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- FDN327N-ES
- 商品编号
- C22363753
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
FDN327N-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FDN327N-ES为无铅产品。
商品特性
- 20V，漏源导通电阻（RDS(ON)）=25 mΩ（典型值），栅源电压（VGS）=4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）=29 mΩ（典型值），栅源电压（VGS）=2.5 V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换
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