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WNM2030-3/TR-ES
1个N沟道 耐压:20V 电流:900mA
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- 描述
- 带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- WNM2030-3/TR-ES
- 商品编号
- C22363752
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
这款 20N50 功率 MOSFET 采用先进的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 20.0A、500V，在 VGS = 10V 时，RDS(on) = 0.26Ω
- 低栅极电荷（典型值 70nC）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改进的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正