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HSK02N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,200V/2A1R
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSK02N20
- 商品编号
- C22359222
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSK2P25是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSK2P25符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件-采用先进的高单元密度沟槽技术