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HSW2004
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- HSW2004采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于众多其他应用。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW2004
- 商品编号
- C22359227
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 661pF@10V；500pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 299pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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