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HSM4606BA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- HSM4606BA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。互补型MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于许多其他应用。；- 功率开关应用；- 硬开关和高频电路；- 不间断电源
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4606BA
- 商品编号
- C22359231
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 667pF@10V；400pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@10V；118pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个4000个/圆盘
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