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HSL2P25
1个P沟道 耐压:250V 电流:2A
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- 描述
- P沟道,250V/2A4R
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSL2P25
- 商品编号
- C22359226
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSK02N20是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSK02N20符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术